[发明专利]一种利用二次生长法制备取向分子筛膜的方法无效
| 申请号： | 200910263978.6 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101774607A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 黄伟;王晓东;延静 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C01B39/38 | 分类号： | C01B39/38 |
| 代理公司： | 山西太原科卫专利事务所 14100 | 代理人： | 戎文华 |
| 地址： | 030024山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 一种利用二次生长法制备取向分子筛膜的方法是采用静电吸附-超声法将分子筛晶种担载在载体上形成晶种层。通过调节晶种液的pH值形成表面静电层，并在超声辅助下使晶种以最大的a-c面与载体接触，形成均匀连续b轴取向分子筛晶种层。然后再经二次生长制备致密连续的b轴取向分子筛膜。本发明易于控制分子筛膜的厚度和取向性，具有重复性，适用于规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 次生 长法 制备 取向 分子筛 方法 | ||
【主权项】：
一种利用二次生长法制备b轴取向TS-1分子筛膜的方法，其方法是采用静电吸附-超声法将分子筛晶种担载在载体上，调节晶种液的pH值形成表面静电层，在超声辅助下使晶种以最大的a-c面与载体接触，制得b轴取向TS-1分子筛晶种层；将担载有晶种的载体与二次生长液一起置于晶化反应釜中进行二次生长，取出，冷却至室温，用去离子水洗至中性，干燥、焙烧后制得b轴取向TS-1分子筛膜。
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