[发明专利]一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法无效
| 申请号： | 200910264504.3 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101820009A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 屈盛 | 申请（专利权）人： | 欧贝黎新能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226600 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法，它涉及的是一种晶体硅太阳电池生产的技术领域，具体涉及的是一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法。它在正表面电极与硅片接触区域形成重掺杂，并以正表面电极为掩膜进行反向刻蚀，在硅片正表面其它区域形成轻掺杂，从而获得选择性发射极结构。它既具有选择性发射极结构带来的较高的光电转换效率，又具有工艺简单、成本较低的特点，具有较好的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 发射极 晶体 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法，其特征在于它在正表面电极与硅片接触区域形成重掺杂，并以正表面电极为掩膜进行反向刻蚀，在硅片正表面其它区域形成轻掺杂，从而获得选择性发射极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
