[发明专利]一种高效柱状薄膜太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910264859.2 申请日: 2009-12-24
公开(公告)号: CN101866966A 公开(公告)日: 2010-10-20
发明(设计)人: 张宏勇;郑振生;邹福松 申请(专利权)人: 江苏华创光电科技有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/18;H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 214213 江苏省宜兴市*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种高效柱状薄膜太阳能电池,包括衬底,衬底上为TCO薄膜层,第一TCO薄膜层上为二氧化硅填充层,二氧化硅填充层内间隔设置柱状金属层,金属层上为柱状半导体层,所述金属层和半导体构成肖特基接触层,所述二氧化硅填充层高度大于金属层高度,小于等于柱状金属层和半导体层总高度;二氧化硅层上为第二TCO薄膜层。本发明还公开了其制备方法,包括采用溅射技术在衬底上镀上TCO层,在其上溅射金属层,沉积非晶硅层,诱导非晶硅变多晶硅,沉积上二氧化硅层,再制做背电极。本发明较之前的薄膜太阳能电池具有较高的光电转化效率,具有成本低,无毒,无污染等特性。
搜索关键词: 一种 高效 柱状 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高效柱状薄膜太阳能电池,其特征在于,包括衬底,衬底上为TCO薄膜层构成背电极,第一TCO薄膜层上为二氧化硅填充层,二氧化硅填充层内间隔设置柱状金属层,金属层上为柱状半导体层,所述金属层和半导体构成肖特基接触层,所述二氧化硅填充层高度大于金属层高度,小于等于柱状金属层和半导体层总高度;二氧化硅层上为第二TCO薄膜层构成前电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏华创光电科技有限公司,未经江苏华创光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910264859.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top