[发明专利]一种高效柱状薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 200910264859.2 | 申请日: | 2009-12-24 |
公开(公告)号: | CN101866966A | 公开(公告)日: | 2010-10-20 |
发明(设计)人: | 张宏勇;郑振生;邹福松 | 申请(专利权)人: | 江苏华创光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18;H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 214213 江苏省宜兴市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种高效柱状薄膜太阳能电池,包括衬底,衬底上为TCO薄膜层,第一TCO薄膜层上为二氧化硅填充层,二氧化硅填充层内间隔设置柱状金属层,金属层上为柱状半导体层,所述金属层和半导体构成肖特基接触层,所述二氧化硅填充层高度大于金属层高度,小于等于柱状金属层和半导体层总高度;二氧化硅层上为第二TCO薄膜层。本发明还公开了其制备方法,包括采用溅射技术在衬底上镀上TCO层,在其上溅射金属层,沉积非晶硅层,诱导非晶硅变多晶硅,沉积上二氧化硅层,再制做背电极。本发明较之前的薄膜太阳能电池具有较高的光电转化效率,具有成本低,无毒,无污染等特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 柱状 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高效柱状薄膜太阳能电池,其特征在于,包括衬底,衬底上为TCO薄膜层构成背电极,第一TCO薄膜层上为二氧化硅填充层,二氧化硅填充层内间隔设置柱状金属层,金属层上为柱状半导体层,所述金属层和半导体构成肖特基接触层,所述二氧化硅填充层高度大于金属层高度,小于等于柱状金属层和半导体层总高度;二氧化硅层上为第二TCO薄膜层构成前电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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