[发明专利]自支持导电聚合物薄膜与复合膜的制法及应用无效

专利信息
申请号: 200910264907.8 申请日: 2009-12-16
公开(公告)号: CN101735468A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 靳健;王栋;何晓东 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;H01B5/00;H01B13/00;A61L27/14
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 陈忠辉
地址: 215125 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明揭示了一种自支持导电聚合物薄膜与复合膜的制法及其应用,所述聚合物薄膜与复合膜的制备环境为气液两相界面或液液两相界面,在气离子液体界面或液离子液体界面自发生长,或在生长过程中掺入无机纳米材料,以形成具有自支持导电性能聚合物薄膜或复合膜。本发明通过界面的自发生长,一步法制备出两面对称、均一、厚度可控或两面非对称的自支持导电聚合物薄膜。能有效克服传统化学氧化或电化学制备导电聚合物薄膜特别是自支持导电聚合物薄膜制备时工艺复杂繁琐、对导电或非导电基底依赖性高、可控性差等缺点。该方法简便易操作,可控性强。同时,本技术易于对制备中的或制备出的导电聚合物薄膜进行功能化修饰。
搜索关键词: 支持 导电 聚合物 薄膜 复合 制法 应用
【主权项】:
自支持导电聚合物薄膜的制法,其特征在于:所述聚合物薄膜的制备环境为气液两相界面,含有聚合单体的离子液体混合液曝露于空气中,并在离子液体与空气的接触界面自发生长形成自支持导电聚合物薄膜。
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