[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。目的在于：在使用阈值电压的绝对值互异的多个金属绝缘体半导体晶体管的情况下，可抑制阈值电压的绝对值较大的金属绝缘体半导体晶体管驱动电流的下降。第二n型金属绝缘体半导体晶体管T2n的阈值电压比第一n型金属绝缘体半导体晶体管T1n的阈值电压大，第二n型金属绝缘体半导体晶体管T2n所具有的第二n型金属绝缘体半导体高介电常数膜H2n中的镧原子浓度与镁原子浓度之和小于第一n型金属绝缘体半导体晶体管T1n所具有的第一n型金属绝缘体半导体高介电常数膜H1n中的镧原子浓度与镁原子浓度之和。

主权项

一种半导体器件，其包括：具有第一n型金属绝缘体半导体阈值电压的第一n型金属绝缘体半导体晶体管；和具有第二n型金属绝缘体半导体阈值电压的第二n型金属绝缘体半导体晶体管，其中，所述第一n型金属绝缘体半导体晶体管具有：设在半导体衬底上的第一n型金属绝缘体半导体沟道区域；设在所述第一n型金属绝缘体半导体沟道区域上且含有镧和镁中的至少一种金属的第一n型金属绝缘体半导体高介电常数膜；以及设在所述第一n型金属绝缘体半导体高介电常数膜上的第一n型金属绝缘体半导体金属电极，所述第二n型金属绝缘体半导体晶体管具有：设在半导体衬底上的第二n型金属绝缘体半导体沟道区域；设在所述第二n型金属绝缘体半导体沟道区域上的第二n型金属绝缘体半导体高介电常数膜；以及设在所述第二n型金属绝缘体半导体高介电常数膜上的第二n型金属绝缘体半导体金属电极，其中，所述第二n型金属绝缘体半导体阈值电压的绝对值大于所述第一n型金属绝缘体半导体阈值电压的绝对值，所述第二n型金属绝缘体半导体高介电常数膜中的镧原子浓度与镁原子浓度之和小于所述第一n型金属绝缘体半导体高介电常数膜中的镧原子浓度与镁原子浓度之和。