[发明专利]包括接触塞的半导体器件及相关方法有效

专利信息
申请号: 200910265299.2 申请日: 2009-12-30
公开(公告)号: CN101807575A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 尹在万;秦教英;洪亨善;吉田诚;金奉秀 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/105 分类号: H01L27/105;H01L23/522;H01L21/8239;H01L21/768
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 关兆辉;谢丽娜
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了包括接触塞的半导体器件及相关方法。半导体器件包括半导体层,该半导体层包括第一区域和第二区域;第一接触塞,该第一接触塞布置在半导体层上并且电气地连接至第一区域;第二接触塞,该第二接触塞布置在半导体层上并且电气地连接至第二区域;导电层,该导电层电气地连接至第一接触塞,该导电层具有侧面和底面;以及绝缘层,该绝缘层布置在导电层和第二接触塞之间以便于绝缘导电层和第二接触塞,该绝缘层面对导电层的底面的一部分和侧面。
搜索关键词: 包括 接触 半导体器件 相关 方法
【主权项】:
一种半导体器件,包括:半导体层,所述半导体层包括第一区域和第二区域;第一接触塞,所述第一接触塞布置在所述半导体层上并且电气地连接至所述第一区域;第二接触塞,所述第二接触塞布置在所述半导体层上并且电气地连接至所述第二区域;导电层,所述导电层电气地连接至所述第一接触塞,所述导电层具有侧面和底面;以及绝缘层,所述绝缘层布置在所述导电层和所述第二接触塞之间,以便使所述导电层与所述第二接触塞绝缘,所述绝缘层面对所述导电层的底面的一部分和所述侧面。
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