[发明专利]包括接触塞的半导体器件及相关方法有效
申请号: | 200910265299.2 | 申请日: | 2009-12-30 |
公开(公告)号: | CN101807575A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 尹在万;秦教英;洪亨善;吉田诚;金奉秀 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L23/522;H01L21/8239;H01L21/768 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 关兆辉;谢丽娜 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了包括接触塞的半导体器件及相关方法。半导体器件包括半导体层,该半导体层包括第一区域和第二区域;第一接触塞,该第一接触塞布置在半导体层上并且电气地连接至第一区域;第二接触塞,该第二接触塞布置在半导体层上并且电气地连接至第二区域;导电层,该导电层电气地连接至第一接触塞,该导电层具有侧面和底面;以及绝缘层,该绝缘层布置在导电层和第二接触塞之间以便于绝缘导电层和第二接触塞,该绝缘层面对导电层的底面的一部分和侧面。 | ||
搜索关键词: | 包括 接触 半导体器件 相关 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:半导体层,所述半导体层包括第一区域和第二区域;第一接触塞,所述第一接触塞布置在所述半导体层上并且电气地连接至所述第一区域;第二接触塞,所述第二接触塞布置在所述半导体层上并且电气地连接至所述第二区域;导电层,所述导电层电气地连接至所述第一接触塞,所述导电层具有侧面和底面;以及绝缘层,所述绝缘层布置在所述导电层和所述第二接触塞之间,以便使所述导电层与所述第二接触塞绝缘,所述绝缘层面对所述导电层的底面的一部分和所述侧面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910265299.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:顶装煤改侧装煤的给煤装置
- 下一篇:MBS反应釜搅拌装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的