[发明专利]快闪存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910265541.6 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101771055A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 沈千万 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种快闪存储器件和制造快闪存储器件的方法。快闪存储器件可包括在半导体衬底上方的隔离层和/或有源区、在有源区上方形成的存储栅极、在包括存储栅极的半导体衬底上方形成的控制栅极、和/或在包括控制栅极的半导体衬底上方形成的共同源极线接触。快闪存储器件可包括具有与位线有源区的间隔基本相同的间隔的源极板。源极板可包括其中可形成共同源极线接触的有源区。共同源极线接触可包括沿横过有源区的方向延伸的长对接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：在半导体衬底上方的隔离层和有源区；在所述半导体衬底上方的存储栅极、控制栅极和共同源极线接触中的至少一个；和源极板，其中所述源极板具有与位线的有源区的间隔基本相同的间隔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910265541.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：人Fcγ受体Ⅲ
- 下一篇：快速差分电平转换器及包含该电平转换器的自举驱动器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
