[发明专利]背面照射式图像传感器的制造方法无效
申请号: | 200910265670.5 | 申请日: | 2009-12-28 |
公开(公告)号: | CN101771065A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 金文焕 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 郑特强;付永莉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种背面照射式图像传感器的制造方法,包括如下步骤:通过贯穿第一衬底的正面注入离子而形成离子注入层;通过在第一衬底的正面上形成器件隔离区而限定像素区;在该像素区上形成感光器件和读出电路;在第一衬底的正面上形成层间介电层和金属线;将第二衬底与形成有金属线的第一衬底的正面接合;去除位于离子注入层下面的第一衬底的下部;在去除所述下部之后对第一衬底的背面进行湿蚀刻;以及在第一衬底的背面的感光器件上形成微透镜。根据本发明的方法能够稳定且有效地去除背面照射式图像传感器中的衬底的后侧。 | ||
搜索关键词: | 背面 照射 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种背面照射式图像传感器的制造方法,包括如下步骤:通过将离子注入到第一衬底的正面而形成离子注入层;通过在所述第一衬底的正面上形成器件隔离区而限定像素区;在所述像素区上形成感光器件和读出电路;在所述第一衬底的正面上、在所述感光器件和所述读出电路上方形成层间介电层和金属线;将第二衬底与形成有所述金属线的所述第一衬底的正面接合;去除位于所述离子注入层下面的所述第一衬底的下部;在去除了所述第一衬底的下部之后对所述第一衬底的背面应用湿蚀刻;以及在所述第一衬底的背面的感光器件上形成微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的