[发明专利]一种利用GTEM小室诊断辐射噪声类型的方法无效

专利信息
申请号: 200910265803.9 申请日: 2009-12-28
公开(公告)号: CN101738557A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 赵阳;黄学军;褚家美;颜伟;罗永超;蔡省洋 申请(专利权)人: 苏州泰思特电子科技有限公司
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01R29/26
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 马明渡
地址: 215011 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种利用GTEM小室诊断辐射噪声类型的方法,首先:将所述被测设备的平面区域划分为若干辐射干扰单元区(nij);其次将电场探头和磁场探头分别在所述水平平面区域移动,依次对各辐射干扰单元区进行测量,获得各辐射干扰单元区的辐射电场强度和辐射磁场强度;再次将各辐射干扰单元区的辐射电场强度与辐射磁场强度相除获得相应的近场波阻抗;最后,根据各辐射干扰单元区的近场波阻抗的变化,判断辐射为共模辐射,还是差模辐射。该方法能诊断辐射噪声的类型,从而为噪声抑制措施提供设计依据。
搜索关键词: 一种 利用 gtem 小室 诊断 辐射 噪声 类型 方法
【主权项】:
一种利用GTEM小室诊断辐射噪声类型的方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一:将被测设备放置于GTEM小室的转台;步骤二:将所述被测设备的第一水平平面区域划分为若干辐射干扰单元区;步骤三:调节频谱分析仪的扫描频段,将电场探头和磁场探头分别在所述第一水平平面区域移动,依次对各辐射干扰单元区进行测量,获得第一水平平面区域内各辐射干扰单元区的辐射电场强度和辐射磁场强度;步骤四:将所述被测设备的第二水平平面区域按步骤二的方式划分为若干辐射干扰单元区,该第二水平平面区域位于第一水平平面区域的上方或下方,以增大相对于被测设备的测试距离,该测试距离为第一水平平面区域或第二水平平面区域与被测设备所在的水平平面区域间的距离;步骤五:调节频谱分析仪的扫描频段,将电场探头和磁场探头分别在所述第二水平平面区域移动,依次对各辐射干扰单元区进行测量,获得第二水平平面区域内各辐射干扰单元区的辐射电场强度和辐射磁场强度;步骤六:将每个辐射干扰单元区中的辐射电场强度与辐射磁场强度相除获得相应的近场波阻抗;步骤七:依次比较第一水平平面区域内各辐射干扰单元区与第二水平平面区域内相应的辐射干扰单元区的近场波阻抗,如果一个辐射干扰单元区的近场波阻抗值随着测试距离的增大而减小,且该近场波阻抗值大于特征值,则判定该辐射干扰单元区的辐射为共模辐射;如果一个辐射干扰单元区的近场波阻抗小于特征值,且随着测试距离的增大而增加,则判定该辐射干扰单元区的辐射为差模辐射。
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