[发明专利]闪存器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910266068.3 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101783351A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 权永俊 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;陈昌柏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种闪存器件及其制造方法。闪存器件可以包括：第一存储栅极和第二存储栅极，位于衬底上；氧化物层，位于所述第一存储栅极和所述第二存储栅极的侧面，并且位于所述第一存储栅极和所述第二存储栅极外侧的所述衬底上；源极多层接触，在所述第一存储栅极和所述第二存储栅极之间；第一选择栅极和第二选择栅极，在所述第一存储栅极和所述第二存储栅极外侧；漏极区域，在所述第一选择栅极和所述第二选择栅极外侧；以及金属接触，位于所述漏极区域和所述源极多层接触上。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存器件，包括：第一存储栅极和第二存储栅极，位于衬底上；氧化物层，沿着所述第一存储栅极的侧面，沿着所述第二存储栅极的侧面，位于所述第一存储栅极外侧的所述衬底上，以及位于所述第二存储栅极外侧的所述衬底上；源极多层接触，位于所述第一存储栅极和所述第二存储栅极之间；第一选择栅极，位于所述第一存储栅极外侧；第二选择栅极，位于所述第二存储栅极外侧；多个漏极区域，位于所述第一选择栅极和所述第二选择栅极外侧；以及多个金属接触，位于所述多个漏极区域和所述源极多层接触上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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