[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 200910266100.8 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101771120A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 金明达;黄国峰;沈秉非;王敬仁;张世邦 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体发光元件，其包含基板，第一局限层位于基板之上，活性区位于第一局限层之上，及第二局限层位于活性区之上。其中活性区包含掺杂杂质的第一型障壁层及未掺杂杂质的第二型障壁层，且第一型障壁层较第二型障壁层更接近第一局限层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包含：基板；第一局限层位于该基板上；活性区位于该第一局限层上；及第二局限层位于该活性区上；其中该活性区包括掺杂杂质的第一型障壁层及未掺杂杂质的第二型障壁层，且该第一型障壁层较该第二型障壁层更接近该第一局限层。
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