[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件和电子装置

摘要

本发明半导体器件的制造方法以及半导体器件和电子装置。本发明的目标是容易地制造半导体器件并提供成本降低的半导体器件。根据本发明，通过提供在除去剥离层之后衬底和基底绝缘层牢固固定的区域，可以防止提供在基底绝缘层上的薄膜集成电路散落。因此，可以容易地制造包含薄膜集成电路的半导体器件。此外，由于根据本发明使用除了硅之外的衬底制造半导体器件，可以在同一时间制造大量的半导体器件，并可以提供成本降低的半导体器件。

主权项

一种半导体器件，包括：第一导电层；在第一导电层上提供的至少包含沟道形成区、源区和漏区的薄膜晶体管；覆盖所述薄膜晶体管的第一绝缘层；以及在第一绝缘层上提供的第二导电层，其中第二导电层通过在第一绝缘层中提供的第一开口电连接到所述薄膜晶体管的源区和漏区这两者之一，且通过在第一绝缘层中提供的第二开口电连接到第一导电层。