[发明专利]半导体装置的金属结构的重做方法无效
| 申请号： | 200910266345.0 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101764086A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 孙承佑 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体装置的金属结构的重做方法及其装置。重做方法可包括：在具有接触插头的绝缘层上方形成第一金属层，在第一金属层上方形成金属互连层和/或在金属互连层上方形成第二金属层。重做方法可包括执行第一湿蚀刻工艺以去除第一和/或第二金属层，不含金属互连层下的部分，通过第二湿蚀刻工艺去除金属互连层，和/或通过第一平坦化工艺平坦化第一金属层的剩余部分和/或绝缘层表面。可最小化由例如接触孔的过分暴露引起的接触孔尺寸的增大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 金属结构 重做 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包含以下步骤：在具有接触插头的绝缘层上方形成第一金属层，在所述第一金属层上方形成金属互连层，在所述金属互连层上方形成第二金属层；执行第一湿蚀刻工艺以去除所述第一金属层和所述第二金属层，不包括所述金属互连层下的所述第一金属层的一部分；执行第二湿蚀刻工艺以去除所述金属互连层；以及执行第一平坦化工艺以平坦化所述第一金属层的排除部分和所述绝缘层的表面中的至少一个。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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