[发明专利]制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管和显示单元有效
| 申请号： | 200910266363.9 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101764064A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 桐田科;河岛利孝 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786;H01L29/22;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 马景辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可以能简化步骤的制作薄膜晶体管的方法。该制作薄膜晶体管的方法包括以下步骤：在衬底上顺序形成栅电极和栅极绝缘膜；按照一定形状在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜包括预定的沟道形成区域、预定的源电极形成区域和预定的漏电极形成区域，使得整个氧化物半导体膜的载流子密度和预定的沟道形成区域的载流子密度相同；在所述预定的沟道形成区域形成抑制热传输的掩膜；以及在空气中加热所述氧化物半导体膜，以使所述氧化物半导体膜上没有被所述掩膜覆盖的区域获得比预定的沟道形成区域的载流子密度更高的载流子密度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 薄膜晶体管 方法 显示 单元 | ||
【主权项】：
一种制作薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底上顺序形成栅电极和栅极绝缘膜；按照一定形状在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜包括预定的沟道形成区域、预定的源电极形成区域和预定的漏电极形成区域，使得整个氧化物半导体膜的载流子密度和预定的沟道形成区域的载流子密度相同；在所述预定的沟道形成区域上形成抑制热传输的掩膜；以及在空气中加热所述氧化物半导体膜，以使所述氧化物半导体膜上没有被所述掩膜覆盖的区域获得比所述预定的沟道形成区域的载流子密度更高的载流子密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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