[发明专利]静态瞬态电压降分析装置及方法有效
| 申请号： | 200910266844.X | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102116785A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 罗振兴;卢建邦 | 申请（专利权）人： | 晨星软件研发(深圳)有限公司;晨星半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种静态瞬态电压降分析装置，应用于一多阈值互补式金氧半导体晶体管。该静态瞬态电压降分析装置包含一估算模块、一处理模块及一量测模块。该估算模块根据该多阈值互补式金氧半导体晶体管的瞬态电压降特性估算出一瞬态电压降容忍值。该处理模块根据该瞬态电压降容忍值自多个候选仿真金属层中选取相对应的一仿真金属层，并将该仿真金属层加入至该多阈值互补式金氧半导体晶体管中。该量测模块量测已加入至该多阈值互补式金氧半导体晶体管中的该仿真金属层的一瞬态电压降。该量测所得的瞬态电压降实质上为该多阈值互补式金氧半导体晶体管的静态瞬态电压降。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 瞬态 电压 分析 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种静态瞬态电压降分析装置，用以量测一多阈值互补式金氧半导体晶体管的一静态瞬态电压降，该静态瞬态电压降分析装置包含：一估算模块，用以根据该多阈值互补式金氧半导体晶体管的瞬态电压降特性估算出一瞬态电压降容忍值；一处理模块，耦接至该估算模块，用以根据该瞬态电压降容忍值自多个候选仿真金属层中选取一仿真金属层，并将该仿真金属层加入至该多阈值互补式金氧半导体晶体管中；以及一量测模块，用以量测已加入至该多阈值互补式金氧半导体晶体管中的该仿真金属层的一瞬态电压降；其中，该量测模块量测到的该瞬态电压降为该多阈值互补式金氧半导体晶体管的该静态瞬态电压降。
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