[发明专利]一种P型高锰硅热电材料的制备方法有效
| 申请号： | 200910272326.9 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101692479A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 唐新峰;罗文辉;林泽冰;杜保立 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高锰硅热电材料的制备方法。一种P型高锰硅热电材料的制备方法，它包括如下步骤：1)以Mn粉和Si粉为原料，按Si粉与Mn粉的摩尔比＝1.70～1.85∶1混合，在压片机上压成块状，得到块体；2)将得到的块体在高频感应熔融炉中并在氩气氛保护条件下熔炼，冷却后得到合金块体；3)采用单辊急冷法，首先将得到的合金块体装入单辊急冷设备中，利用高频感应方式将其熔融；4)在氩气氛中对熔融的合金进行甩带，得到高锰硅化合物薄带材料；5)将得到的高锰硅化合物薄带材料碾磨粉碎成粉末，对粉末进行放电等离子体烧结，得到P型高锰硅热电材料。本发明成本低廉、工艺简单，工艺参数容易控制，所制备的材料性能高，具有很高的商业应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型高锰硅 热电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种P型高锰硅热电材料的制备方法，它包括如下步骤：1)以Mn粉和Si粉为原料，按Si粉与Mn粉的摩尔比＝1.70～1.85∶1混合，混合均匀后在压片机上压成块状，得到块体；所述的Mn粉、Si粉的纯度均≥99.9％(质量)；2)将步骤1)中得到的块体在高频感应熔融炉中并在氩气氛保护条件下熔炼，冷却后得到合金块体；3)采用单辊急冷法，首先将步骤2)中得到的合金块体装入单辊急冷设备中，利用高频感应方式将其熔融；4)在氩气氛中对熔融的合金进行甩带，甩带处理时铜辊的线速度为10～40m/s，氩气喷射压力为0.02～0.06MPa，得到高锰硅化合物薄带材料；5)将步骤4)中得到的高锰硅化合物薄带材料碾磨粉碎成粉末，对粉末进行放电等离子体烧结，得到P型高锰硅热电材料。
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