[发明专利]纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法无效
| 申请号： | 200910272329.2 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101746738A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 唐新峰;王娟;张文浩;苏贤礼 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82B3/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Bi2Se3热电化合物的制备方法。纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法，其特征在于它包括如下的步骤：1)按NH3·H2O-NH4Cl缓冲溶液∶Bi(NO3)3·5H2O∶C10H14N2Na2O8·2H2O＝1 L∶0.02mol∶0.02mol进行配料，混合，并磁力搅拌30min，得到混合溶液A；2)在混合溶液A中按化学式Bi2Se3的化学计量比加入硒代硫酸钠，搅拌均匀得到混合溶液B；3)混合溶液B在氩气保护气氛下，搅拌，得产物C；4)将步骤3)中得到的产物C进行离心，离心得到的沉淀进行冷冻干燥，得到纳米片状Bi2Se3热电化合物。本方法原材料易得，无需还原剂，节约成本，反应时间短，能耗低，重复性好，设备简单，工艺简单，安全无污染，适用于大规模工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 片状 bi sub se 热电 化合物 制备 方法 | ||
【主权项】：
纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法，其特征在于它包括如下的步骤：1)以pH＝10的NH3·H2O-NH4Cl缓冲溶液作为溶剂，以Bi(NO3)3·5H2O作为铋源，以C10H14N2Na2O8·2H2O为络合剂，按NH3·H2O-NH4Cl缓冲溶液∶Bi(NO3)3·5H2O∶C10H14N2Na2O8·2H2O＝1L∶0.02mol∶0.02mol进行配料，混合，并磁力搅拌30min，得到混合溶液A；2)以合成的硒代硫酸钠作为硒源，在混合溶液A中按化学式Bi2Se3的化学计量比加入硒代硫酸钠，搅拌均匀得到混合溶液B；3)混合溶液B在氩气保护气氛下，45℃～85℃磁力搅拌，充分反应2～8h；得产物C；4)将步骤3)中得到的产物C进行离心，离心得到的沉淀进行冷冻干燥，得到纳米片状Bi2Se3热电化合物。
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