[发明专利]电光调Q激光谐振腔有效
| 申请号： | 200910272683.5 | 申请日： | 2009-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN101719627A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 朱长虹;朱晓;齐丽君;朱广志;郭飞 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01S3/16 | 分类号： | H01S3/16;H01S3/115 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供的电光调Q激光谐振腔，包括全反镜、激光介质、电光调Q晶体和输出镜，激光介质和电光调Q晶体均位于全反镜和输出镜之间，泵浦源采用侧面或端面泵浦方式，其特征在于：电光调Q晶体靠近激光介质的通光面为切割面，该切割面上镀有增透膜层，电光调Q晶体远离激光介质的通光面与所述切割面的夹角等于α或90°-α，α＝90°-arctg(n)，n为电光调Q晶体的折射率。电光调Q谐振腔内不需要插入布儒斯特起偏镜，减小了插入损耗，提高光学机械稳定性，缩短激光谐振腔长度。该自偏振电光调Q晶体可以是所有用于横向电光效应的电光调Q晶体，如BBO、RTP、LN等。谐振腔内只存在一种偏振状态，特别适合电光调Q的要求，在实际应用中可以起到将电光调Q晶体和布儒斯特镜合二为一的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 激光 谐振腔 | ||
【主权项】：
一种电光调Q激光谐振腔，包括全反镜(1)、激光介质(3)、电光调Q晶体和输出镜(6)，激光介质(3)和电光调Q晶体均位于全反镜(1)和输出镜(6)之间，泵浦源(2)采用侧面或端面泵浦方式，其特征在于：所述电光调Q晶体靠近激光介质(3)的通光面为切割面，该切割面上镀有增透膜层，电光调Q晶体远离激光介质(3)的通光面与所述切割面的夹角等于α或90°-α，其中，α＝90°-arctg(n)，n为电光调Q晶体的折射率。
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