[发明专利]中频磁控辉光放电法制备复合类金刚石涂层的方法无效
| 申请号： | 200910272795.0 | 申请日： | 2009-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101701332A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 杨兵;丁辉 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 42208 | 代理人： | 程祥;冯卫平 |
| 地址： | 430072*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种纳米复合类金刚石涂层制备方法，利用中频磁控溅射靶产生辉光放电，通入氩气与过量烃类气体，使靶面金属和烃类气体反应生成金属碳化物，当氩离子轰击靶面时，溅射出金属碳化物。利用靶表面辉光放电产生的强等离子体离化烃类气体，使烃类气体产生高度离化的碳离子；从靶面溅射出的碳化物和烃类气体产生的高度离化的碳离子在工件表面形成高硬度的碳化物掺杂纳米复合类金刚石涂层。本发明所制备涂层具有硬度高、附着力强、涂层生长速率快、生产效率高、沉积温度低、生产成本低、涂层设备结构简单等特点，可在硬质合金、高速钢等各类工件上进行不同厚度类金刚石涂层的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 中频 辉光 放电 法制 复合 金刚石 涂层 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米复合类金刚石涂层制备方法，其特征在于：在0.05-1Pa、-50到-300V偏压的条件下，利用中频磁控溅射技术在氩气氛围中制备金属过渡层，然后通入氩气和过量烃类气体，在中频磁控溅射靶表面辉光放电作用下使烃类气体和靶表面发生反应形成金属碳化物，当氩离子溅射靶表面时，溅射出金属碳化物；利用靶表面辉光放电产生的强等离子体离化烃类气体，使烃类气体产生高度离化的碳离子；从靶面溅射出的碳化物和烃类气体产生的高度离化的碳离子在工件表面形成高硬度的碳化物掺杂纳米复合类金刚石涂层。
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