[发明专利]一种Si/FeSi2/Si组成三明治结构的太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 200910273050.6 | 申请日: | 2009-12-01 |
公开(公告)号: | CN101719521A | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
发明(设计)人: | 高云;邵国胜 | 申请(专利权)人: | 湖北大学 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0264;H01L31/06 |
代理公司: | 武汉金堂专利事务所 42212 | 代理人: | 丁齐旭 |
地址: | 430062 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种Si/FeSi2/Si组成三明治结构的新型超薄高效太阳能电池与制备方法。该方法主要是将传统PIN结构硅太阳能电池的本征硅层用β-FeSi2材料取代。由于β-FeSi2材料带隙宽度比Si材料小,与Si组成的异质结的能带结构可以使光照产生的光生载流子发生分离,并在异质结自建电场作用下发生反向定向移动,实现光伏转换功能。本发明所采用的β-FeSi2具有105/cm的光吸收系数,比单晶硅的103/cm大两个数量级,并具有比非晶硅高的电子和空穴迁移率。β-FeSi2与Si组成宽/窄/宽带隙混合三明治结构太阳能电池,开路电压由β-FeSi2层两端的P型和N型硅层决定,可以达到0.7V以上,在有效层总厚度5微米内可以实现与晶硅太阳能电池相当的光电转化效率。具有超薄、高效率、长寿命、低成本的优点,成本与非晶硅薄膜太阳能电池相当,可直接应用于太阳能电池的产品化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 si fesi sub 组成 三明治 结构 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种Si/FeSi2/Si组成三明治结构太阳能电池,其基本结构包括:透明衬底(1)或不透明衬底(7)、透明导电薄膜(2)、P型硅掺杂层(3)、本征FeSi2层(4)、N型硅掺杂层(5)、背电极(6),其特征在于在三明治结构中设有能实现超薄、高效的具有高吸收系数和较高载流子迁移率的β-FeSi2层。
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