[发明专利]一种晶体生长用TlBr粉体的溶液合成方法无效

专利信息
申请号: 200910273160.2 申请日: 2009-12-10
公开(公告)号: CN101875506A 公开(公告)日: 2010-11-03
发明(设计)人: 周东祥;龚树萍;郑志平;权琳;胡云香 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: C01G15/00 分类号: C01G15/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 曹葆青
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种晶体生长用TlBr粉体的溶液合成方法,先在室温下,制备TlNO3的水溶液及浓度为0.09-9mol/L的HBr溶液;分别将TlNO3的水溶液及HBr溶液滴加至同一容器中,使该容器中TlNO3及HBr的摩尔比为0.95∶1~1.4∶1,在搅拌作用下共沉淀生成TlBr;将生成物静置后倒去上清液,保留沉淀物,并加入去离子水反复清洗,直到清洗的水样趋于中性;最后将清洗过的沉淀物烘干,烘干温度为35-95℃,得到TlBr粉体。该溶液合成方法可以在常温常压下于水溶液中采用共沉淀的方式制备TlBr粉体,同时能够控制TlBr中Tl及Br原子的物质量比。
搜索关键词: 一种 晶体生长 tlbr 溶液 合成 方法
【主权项】:
一种晶体生长用TlBr粉体的溶液合成方法,其特征在于:该方法包括下述步骤:(1)室温下,制备TlNO3的水溶液及浓度为0.09-9mol/L的HBr溶液;(2)分别将TlNO3的水溶液及HBr溶液滴加至同一容器中,使该容器中TlNO3及HBr的摩尔比为0.95∶1~1.4∶1,在搅拌作用下共沉淀生成TlBr;(3)将步骤(2)中的生成物静置后倒去上清液,保留沉淀物,并加入去离子水反复清洗,直到清洗的水样趋于中性;(4)将清洗过的沉淀物烘干,烘干温度为35-95℃,得到TlBr粉体。
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