[发明专利]门极灵敏触发单向晶闸管芯片及其制造方法

摘要

本发明涉及门极灵敏触发单向晶闸管芯片及其制造方法，门极灵敏触发单向晶闸管芯片，在P型连接孔与N+发射区之间连接有一个表面薄膜电阻条。门极灵敏触发单向晶闸管芯片的制造方法，在N⁺发射区扩散与光刻沟槽窗口步骤之间增加了LPCVD多晶硅薄膜沉积、离子注入多晶硅掺杂、光刻薄膜电阻条、LPCVD氧化层保护和离子注入掺杂退火步骤，本发明的优点：在晶闸管的门极电极G和阴极电极K之间增加了一个电阻，使用时可以省掉一个电阻，减小了产品电参数受温度的影响，可以在-40～110℃范围内使用，触发电流可控性和一致性好，批与批之间可以将I_GT的范围控制在20uA之内，抗干扰能力强，门极灵敏度高。

主权项

1.门极灵敏触发单向晶闸管芯片，包括N+发射区、阴极电极K、门极电极G、P型连接孔、沟槽、对通隔离扩散区和P型短基区，其特征是：所述P型连接孔与N+发射区之间连接有一个表面薄膜电阻条，该表面薄膜电阻条一端通过金属欧姆接触连接至阴极电极K并形成欧姆接触点，另一端通过金属欧姆接触连接至P型引线孔并形成欧姆接触点。