[发明专利]一种基于氮化处理的纳米晶浮栅存储器的制备方法无效
| 申请号： | 200910302491.4 | 申请日： | 2009-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101556938A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 刘明;王永;王琴;杨潇楠;龙世兵;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种基于氮化处理的纳米晶浮栅存储器的制备方法，所述方法包括在硅衬底上生长遂穿介质层，并在遂穿介质层上表面生长硅纳米晶；对硅纳米晶进行氮化处理，在氮化处理后的硅纳米晶表面淀积控制栅介质层，控制栅介质层上淀积多晶硅；刻蚀多层结构到硅衬底，形成制作栅侧墙和源电极、漏电极的区域；制作栅侧墙、栅极、源极和漏极，形成浮栅存储器。本发明可用于非挥发性存储器的存储单元，具有电荷存储容量大，结构简单，可靠性高，与传统CMOS工艺兼容性好，易于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 处理 纳米 晶浮栅 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于氮化处理的纳米晶浮栅存储器的制备方法，其特征在于：所述方法包括：(1)在硅衬底上生长遂穿介质层，并在所述遂穿介质层上表面生长硅纳米晶；(2)对所述硅纳米晶进行氮化处理，并在氮化处理后的硅纳米晶表面淀积控制栅介质层，所述控制栅介质层上淀积多晶硅；(3)刻蚀多层结构到硅衬底，形成制作栅侧墙、源极和漏极的区域；(4)制作栅侧墙、栅极、源极和漏极，形成浮栅存储器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
