[发明专利]一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法有效
| 申请号： | 200910303914.4 | 申请日： | 2009-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN101598645A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 赵珉;陈宝钦;刘明;牛洁斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;G01N23/225 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法，属于纳米图案加工技术领域。所述方法包括：将硅衬底表面进行处理，并在硅衬底上涂覆电子束光刻抗蚀剂；将涂覆有电子束光刻抗蚀剂的硅衬底进行烘烤；对烘烤后的硅衬底进行单线曝光模式下的电子束直写曝光；对电子束直写曝光后的硅衬底进行显影、定影、干燥及退火处理，并在处理后的硅衬底表面覆盖金属薄膜，形成扫描电镜放大倍率校准标准样品。本发明避免了等离子体刻蚀工艺带来的图形质量下降，有利于高分辨率密集线图形结构的制作，有利于电子束曝光极限分辨率的实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扫描电镜 放大 倍率 校准 标准 样品 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种扫描电镜放大倍率校准标准样品的制作方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1：将硅衬底表面进行处理，并在所述硅衬底上涂覆电子束光刻抗蚀剂；步骤2：将涂覆有所述电子束光刻抗蚀剂的所述硅衬底进行烘烤；步骤3：对烘烤后的所述硅衬底进行单线曝光模式下的电子束直写曝光；步骤4：对电子束直写曝光后的所述硅衬底进行显影、定影、干燥及退火处理，并在处理后的硅衬底表面覆盖金属薄膜，形成扫描电镜放大倍率校准标准样品。
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