[发明专利]一种硅薄膜太阳电池及其制备方法无效
| 申请号： | 200910304355.9 | 申请日： | 2009-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101609852A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 羊亿;罗云荣 | 申请（专利权）人： | 湖南师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/075;H01L31/20 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 | 代理人： | 赵静华 |
| 地址： | 410081湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅薄膜太阳电池及其制备方法。在透明导电衬底上面从下到上依次相叠有下述各层：n型非晶硅薄膜、i型非晶硅薄膜、p型si薄膜，在p型si薄膜上依次相叠i型非晶硅薄膜、n型非晶硅薄膜、透明导电薄膜(TCO)制成双结硅薄膜太阳电池；或者在p型si薄膜上直接沉积一层Al膜制成单结硅薄膜太阳电池。本发明衬底选择范围广、成本低，光电转换效率高、沉积温度低，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅薄膜太阳电池，其特征在于，在透明导电衬底上面从下到上依次相叠有下述各层：n型非晶硅薄膜、i型非晶硅薄膜、p型si薄膜，在p型si薄膜上依次相叠i型非晶硅薄膜、n型非晶硅薄膜、透明导电薄膜(TCO)制成双结硅薄膜太阳电池；或者在p型si薄膜上直接沉积一层Al膜制成单结硅薄膜太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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