[发明专利]一种基于多层掩蔽层制作微结构的体硅加工方法无效
| 申请号： | 200910304439.2 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101613077A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 罗怡;张宗波;王晓东;张彦国;郑英松 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 梅洪玉 |
| 地址： | 116085辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 传统硅工艺制作复杂微结构，在第二次甩胶光刻时易出现堆胶和脱胶问题，使得硅基上微结构的制作无法顺利进行。本发明公开了一种基于多层掩蔽层制作微结构的体硅加工方法，属于硅工艺制造领域，用于实现硅片上复杂微结构的制作。该方法利用掩蔽层生长以及套刻技术，将多个掩模版的图形逐层转移到硅片上，在硅微结构腐蚀前，将整个工艺所涉及的光刻步骤全部完成，避免了由于硅微结构的存在引起的堆胶和脱胶问题，实现了硅片上微复杂结构的制作。本发明的效果和益处是能够解决传统硅工艺中微复杂结构难以制备的问题，并且该方法与传统硅工艺具有较好的兼容性，操作灵活，简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多层 掩蔽 制作 微结构 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于多层掩蔽层制作微结构的体硅加工方法，其特征在于：该方法先利用掩蔽层多层制作和套刻技术，将多个掩模版的图形逐层转移到硅片上，在硅微结构腐蚀前，将整个工艺所涉及的光刻步骤全部完成；之后进行湿法腐蚀，利用掩蔽层多层制作和套刻后，不同图形处的掩蔽层厚度不同实现硅微结构的分层腐蚀，先暴露出硅片的部分先腐蚀，得到所需深度后，去除该层图形的掩蔽层，露出第二层图形，重复湿法腐蚀和去除掩蔽层过程，最终获得所需微结构。
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