[发明专利]CZ法硅单晶生长炉石英坩埚碳素护埚及其制造工艺有效

专利信息
申请号: 200910305764.0 申请日: 2009-08-19
公开(公告)号: CN101643933A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 蒋建纯;萧志英;张弛 申请(专利权)人: 蒋建纯
主分类号: C30B15/10 分类号: C30B15/10;C04B35/83
代理公司: 长沙星耀专利事务所 代理人: 宁星耀
地址: 410100湖南省长*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: CZ法硅单晶生长炉石英坩埚碳素护埚及其制造工艺,该CZ法硅单晶生长炉石英坩埚碳素护埚由上埚帮、下埚帮和埚托三部分组成,上埚帮和下埚帮由坯体、基体碳构成,表面碳化硅涂层,所述坯体由二维碳纤维织物叠层或准三维针刺碳纤维毡体构成,重量不低于护埚总重量的40%;所述基体碳由树脂碳和化学气相沉积碳组成,其中化学气相沉积碳的含量不大于产品总重量的30%;上下埚帮材料密度≥1.3g/cm3;上下埚帮上均匀分布直径5~30mm的孔,孔壁和埚帮内表面采用碳化硅涂层,厚度为10~100μm;埚托由高强高纯石墨和表面沉积碳涂层构成,其密度≥1.7g/cm3,表面沉积碳涂层厚度为10~100μm。
搜索关键词: cz 法硅单晶 生长 石英 坩埚 碳素 及其 制造 工艺
【主权项】:
1.一种CZ法硅单晶生长炉石英坩埚碳素护埚,其特征在于,由埚帮和埚托组成,所述埚帮由碳纤维坯体增强碳基体复合材料制成,碳纤维坯体增强相由二维碳纤维织物叠层或准三维针刺碳纤维毡体构成,其重量不低于埚帮总重量的40%;所述碳基体由树脂碳和化学气相沉积碳组成,其中化学气相沉积碳的含量不大于埚帮总重量的30%;埚帮材料密度≥1.3g/cm3;埚帮内表面有碳化硅涂层,涂层厚度为8~100μm;埚托由高强高纯石墨经表面化学气相沉积碳制成,埚托材料密度≥1.7g/cm3,表面沉积碳涂层厚度为10~100μm。
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