[发明专利]薄膜太阳能电池吸收层用关键材料的制备方法有效
申请号: | 200910306797.7 | 申请日: | 2009-09-09 |
公开(公告)号: | CN101667610A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 黄小珂;谢元锋;伍祥武;吕宏;陈进中;王玉民;苏家红;何焕全;廖春图 | 申请(专利权)人: | 柳州百韧特先进材料有限公司;北京有色金属研究总院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 柳州市荣久专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 韦 微 |
地址: | 545006广西壮族自治区*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明涉及一种薄膜太阳能电池吸收层用关键材料的制备方法,所述的关键材料是CuMR选自S或Se中的一种元素,x的取值为-0.2~0.1,材料状态为粉末或块体靶材,上述材料的制备方法是:在真空密闭容器中或充入低于大气压力的氩气、氮气或氦气的密闭容器中合成上述材料的块体;将块体破碎,得到所需的粉末;最后在热压炉中合成所需要的块体靶材。该方法是一种纯元素法液相合成工艺,具有适用性广,配比准确,成本低,制备的靶材质量高,粉末材料的致密度达99.9%以上,块体靶材致密度达98.9%以上的优点。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 吸收 关键 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜太阳能电池吸收层用关键材料的制备方法,所述的关键材料是CuM(1-2x)R(1+x),其中M为或是选自Al、In中的一种元素,或是选自Al、In、Ga中的两种元素,R选自S或Se中的一种元素,x的取值为-0.2~0.1,其特征在于:上述材料的制备包括以下步骤:A.将所需元素材料按材料成分要求配比后放入容器中,在低于10-2Pa真空度条件下封闭容器或者在充入低于大气压力的氩气、氮气或氦气的条件下封闭容器;B.将密闭的容器温度调整到高于材料熔点的条件下保温0.1小时~10小时,使其在8小时内缓慢冷却到室温,将制备的块体从容器内取出后球磨,将粉末筛分,得到粉末产品;C.将制备出的粉末放入热压炉模具中在600℃~920℃、30MPa~300MPa压制后按需要的尺寸加工即得到所需的块体靶材。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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