[发明专利]Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金无效
| 申请号： | 200910309011.7 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101693970A | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 高智勇;吴迪;张婕;蔡伟;吴冶 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C22C22/00 | 分类号： | C22C22/00;C22C1/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金，它涉及一种记忆合金。本发明解决了MnNiGa磁驱动合金比ΔM/ΔS值小的问题。本发明Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金的分子式为Mn50Ni25Ga25-xSnx，分子式中x值为1～2。本发明的Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金的添加了Sn元素，引起了磁晶各向异性的增加以及ΔM/ΔS比值的升高，均有利于在Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金中获得磁场诱发的马氏体相变，获得大的输出应力。 | ||
| 搜索关键词： | mn ni ga sn 驱动 记忆 合金 | ||
【主权项】：
Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金，其特征在于所述Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金的分子式为Mn50Ni25Ga25-xSnx，分子式中x值为1～2。
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