[发明专利]选择性射极太阳能电池的制程

摘要

一种选择性射极太阳能电池的制程，是以氨电浆氮化结晶硅构成的基材形成氮化硅薄层，接着图案化氮化硅薄层成遮阻图像，然后透过遮阻图像将掺杂元素掺杂入基材中，使基材内形成对应于该遮阻图像的区域且电性与基材相反的轻掺杂扩散区，及对应于未被该遮阻图像遮覆的区域且电性与基材相反的重掺杂扩散区，进而形成照光产生光电流的电性接面结构，接着在移除遮阻图像后，对应于该重掺杂扩散区上形成与基材电连接的前电极，以及于基材底面形成与基材电连接的背电极，完成选择性射极太阳能电池的制作。

主权项

一种选择性射极太阳能电池的制程，其特征在于：包含下列步骤：a、在一基材顶面形成一由氮化硅构成并使该基材预定区域裸露的遮阻图像；b、将一掺杂元素透过该遮阻图像掺杂入该基材中，使该基材内对应于该遮阻图像遮覆的区域形成电性与该半导体材料相反的轻掺杂扩散区，其余对应于未被该遮阻图像遮覆的区域形成电性与该半导体材料相反的重掺杂扩散区，其中，该重掺杂扩散区的掺杂浓度大于该轻掺杂扩散区且小于该掺杂元素于该基材的扩散极限值，而使该基材形成照光产生光电流的电性接面结构；c、移除该遮阻图像；d、对应于该重掺杂扩散区上形成一与该基材电连接的前电极，并于该基材底面形成一与该基材电连接并与该前电极配合将光电流导出的背电极。