[发明专利]一次编程存储器的多值存储方法无效
| 申请号： | 200910310009.1 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102074270A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘明;左青云;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C17/06 | 分类号： | G11C17/06;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一次编程存储器的多值存储方法，属于微电子制造及存储器技术领域。一次编程存储器包括双极型阻变存储器和整流二极管，所述双极型阻变存储器和所述整流二极管之间相串联，对一次编程存储器施加至少两种不同电压值的编程电压或者不同电流强度的编程电流，使所述一次编程存储器从高阻态转变成至少两种不同的低阻态，实现多值存储。本发明的一次编程存储器的多值存储方法实现了一次编程存储器的多值存储、实现了更高的存储密度以及避免了交叉阵列结构中的误读。 | ||
| 搜索关键词： | 一次 编程 存储器 存储 方法 | ||
【主权项】：
一次编程存储器的多值存储方法，所述一次编程存储器包括双极型阻变存储器和整流二极管，所述双极型阻变存储器和所述整流二极管之间相串联，其特征在于：对所述一次编程存储器施加至少两种不同电压值的编程电压或者不同电流强度的编程电流，使所述一次编程存储器从高阻态转变成至少两种不同的低阻态，实现多值存储。
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