[发明专利]三氯氢硅生产中储罐料位的测量方法无效
| 申请号： | 200910310557.4 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101706305A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 唐前正;张新;李钊;张尚旻;王军;郭勇 | 申请（专利权）人： | 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01F23/20 | 分类号： | G01F23/20 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 武森涛 |
| 地址： | 614000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及三氯氢硅生产中储罐料位的测量方法，属于卤化硅烷的生产领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种三氯氢硅生产中储罐料位的测量方法，该方法不受浮尘干扰。本发明三氯氢硅生产中储罐料位的测量方法，对连接有管道的储罐的料位进行测量，通过测定储罐和储罐中物料的总质量m，根据公式L＝m/(Sρ)计算储罐中物料料位L；其中，S为储罐的横截面积，ρ为物料的堆积密度。采用本发明方法可以避免浮尘对检测结果的影响，能较为准确的测定储罐中物料料位，有利于及时补充硅粉或排除硅尘，可有效减少生产事故的发生，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 三氯氢硅 生产 中储罐料位 测量方法 | ||
【主权项】：
三氯氢硅生产中储罐料位的测量方法，对连接有管道的储罐的料位进行测量，其特征在于：测定储罐和储罐中物料的总质量m，根据公式L＝m/(Sρ)计算储罐中物料料位L；其中，S为储罐的横截面积，ρ为物料的堆积密度。
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