[发明专利]聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 200910310566.3 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101717569A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 钟家春;余兴江;刘孝波;任伟;李岳山 | 申请（专利权）人： | 四川飞亚新材料有限公司 |
| 主分类号： | C08L71/10 | 分类号： | C08L71/10;C08L79/04;C08G73/06;C08J5/18 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 武森涛 |
| 地址： | 628000 四川省广元市经济*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于高分子介电材料领域，特别涉及聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜及其制备方法。本发明所解决的技术问题是提供一种高强度、低损耗聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜。本发明的聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜是由聚芳醚腈、双邻苯二甲腈和氯化亚铜共混后成膜得到，双邻苯二甲腈与氯化亚铜的重量之和与聚芳醚腈的重量比为10～40∶60～90，双邻苯二甲腈与氯化亚铜的摩尔比为2.5～3.5∶0.5～1.5。本发明的聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜均匀致密，具有优异的介电性能和力学性能，能够解决现有技术的介电损耗高和由于填料填充量过高薄膜力学性能下降等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 聚芳醚腈 超支 化酞菁铜介电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
聚芳醚腈/超支化酞菁铜介电薄膜，其特征在于：它是由聚芳醚腈、双邻苯二甲腈和氯化亚铜三种原料共混后成膜得到。
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