[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 200910311166.4 | 申请日： | 2009-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102097420A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括一导热基板及设于导热基板上的至少一红光发光二极管芯片、至少一绿光发光二极管芯片与至少一蓝光发光二极管芯片，其中该红光、绿光及蓝光发光二极管芯片均包括以蓝宝石为基底依次生长形成的一p型氮化镓层、一发光层及一n型氮化镓层，该红光、绿光及蓝光发光二极管芯片的p型氮化镓层与导热基板相粘合，该绿光与蓝光发光二极管芯片的发光层中参杂有铟使该绿光与蓝光发光二极管芯片分别发绿光与蓝光，该红光发光二极管芯片的发光层中参杂有铕使该红光发光二极管芯片发红光。本发明还公开一种该发光二极管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括一导热基板及设于该导热基板上的至少一红光发光二极管芯片、至少一绿光发光二极管芯片与至少一蓝光发光二极管芯片，其特征在于：该红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片及蓝光发光二极管芯片均包括一p型氮化镓层、一n型氮化镓层及位于p型氮化镓层与n型氮化镓层之间的一发光层，该红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片及蓝光发光二极管芯片中的每一发光二极管芯片的p型氮化镓层、发光层及n型氮化镓层均以蓝宝石为基底依次生长形成，该红光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片及蓝光发光二极管芯片的p型氮化镓层与导热基板相粘合，该绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片的发光层中参杂有铟使该绿光发光二极管芯片与蓝光发光二极管芯片分别发绿光与蓝光，该红光发光二极管芯片的发光层中参杂有铕使该红光发光二极管芯片发红光。
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