[发明专利]铜锌锡硒太阳电池吸收层薄膜的制备方法有效
申请号: | 200910311903.0 | 申请日: | 2009-12-21 |
公开(公告)号: | CN101740667A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 魏浩;苏言杰;郭炜;张亚非;王艳艳 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种太阳能电池技术领域的铜锌锡硒太阳电池吸收层薄膜的制备方法,包括:制备铜锌锡硒纳米粒子;将铜锌锡硒纳米粒子溶于溶解剂中,经超声分散处理得到铜锌锡硒纳米粒子浆液;将铜锌锡硒纳米粒子浆液涂覆于基底上,对基底进行热处理,制得铜锌锡硒太阳电池吸收层薄膜。本发明的方法避免了设备昂贵、不易于大面积沉积等缺点,具有绿色无污染,设备要求简单,适合工业化大规模生产的优点。 | ||
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【主权项】:
一种铜锌锡硒太阳电池吸收层薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、制备铜锌锡硒纳米粒子:取二价锌盐、二价或四价锡盐、一价或二价铜盐以及硒粉以(1~2.2)∶(1~1.2)∶(2~2.2)∶(4~8.8)的摩尔比并混合均匀,经加热纯化处理后得铜锌锡硒纳米粒子;步骤二、将铜锌锡硒纳米粒子溶于有机溶剂中,经超声分散处理得到铜锌锡硒纳米粒子浆液;步骤三、将铜锌锡硒纳米粒子浆液涂覆于基底上,对基底进行热处理,制得铜锌锡硒太阳电池吸收层薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的