[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 200910312245.7 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN102110755A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 赖志成 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，其包括N型的第一半导体层、P型的第二半导体层、位于该第一半导体层及第二半导体层之间的活性层、设置于第一半导体层上并远离该活性层的电极，及设置于第二半导体层上并远离该活性层的欧姆接触层。欧姆接触层具有与该电极正对的高阻区，高阻区的电阻大于欧姆接触层围绕高阻区的周围区域的电阻。上述发光二极管的欧姆接触层上具有与该电极正对的高阻区，使发光二极管的正对电极部分发光较弱，而位于电极两侧部分发光较强，减少电极所阻挡的光强，增加发光二极管整体出光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其包括N型的第一半导体层、P型的第二半导体层、位于该第一半导体层及第二半导体层之间的活性层、设置于该第一半导体层上并远离该活性层的电极及设置于该第二半导体层上并远离该活性层的欧姆接触层，其特征在于：该欧姆接触层具有与该电极正对的高阻区，该高阻区的电阻大于该欧姆接触层围绕该高阻区的周围区域的电阻。
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