[发明专利]多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法

摘要

本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法，属于集成电路测量技术领域。所述测量方法是采用LCR表和一个电源进行测量，在场效应晶体管(FET)半导体器件的栅端口和漏端口加电压对器件的Cgs进行测量，采用LCR表内置电源提供Vgs端口电压的自动扫描，采用一个外接电源提供Vdg端口的电压，手动调节电压对Vdg端口进行扫描，最后通过公式Vds＝Vdg+Vgs来计算相对电压，获得多偏置点下栅源电容Cgs(Vgs，Vds)数值曲线。本发明易于实现，精度高，其测量方法能够描述界面态和表面态等界面特性，还能获得器件的基本物理参数；是FET半导体器件建模中必不可少的环节，进而描述器件的交流特性，完成非线性特性的仿真。

主权项

一种多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：步骤A：在被测场效应晶体管的栅端口与源端口之间加栅源电压Vgs；在所述被测场效应晶体管漏端口与地之间加电压Vdg；测量所述被测场效应晶体管的栅源电容值Cgs；步骤B：将所述被测场效应晶体管的栅端口与源端口之间的栅源电压Vgs与所述被测场效应晶体管漏端口与地之间的电压Vdg相加，得到所述被测场效应晶体管漏端口与源端口之间的相对电压Vds；步骤C：绘制被测场效应晶体管栅源电容值Cgs相对于栅源电压Vgs和漏源电压Vds的变化规律曲线Cgs(Vgs，Vds)。