[发明专利]一种低电压有机薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低电压有机薄膜晶体管及其制备方法，属于有机电子技术领域。所述有机薄膜晶体管包括：绝缘衬底、在绝缘衬底上的栅电极、覆盖绝缘衬底和栅电极的栅介质、在栅介质上的源电极和漏电极，以及覆盖栅介质和源、漏电极的有机半导体层。所述方法包括：首先，在绝缘衬底上制备栅电极；其次，在绝缘衬底和栅电极的表面制备介质层；然后，在介质层上制备源、漏电极；最后，在介质层和源电极、漏电极上沉积有机半导体层，完成器件的制备。本发明采用原子层沉积法制备较薄的金属氧化物薄膜作为介质层，大幅度增加了有机薄膜晶体管器件的电容，从而降低器件的电压，获得低工作电压的有机薄膜晶体管。

主权项

一种低电压有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机薄膜晶体管包括：绝缘衬底(101)、栅电极(102)、栅介质(103)、有机半导体层(104)、源电极(105)和漏电极(106)；其中：所述绝缘衬底(101)位于所述有机薄膜晶体管器件的底层，所述栅电极(102)位于所述绝缘衬底(101)之上，所述栅介质(103)覆盖所述绝缘衬底(101)和栅电极(102)，在所述栅介质(103)表面制备有所述源电极(105)和漏电极(106)；所述源电极(105)和漏电极(106)各自覆盖所述栅介质(103)的顶面；所述有机半导体层(104)覆盖所述栅介质(103)、源电极(105)和漏电极(106)。