[发明专利]用于CoWP和多孔电介质的湿清洁组合物有效
| 申请号： | 200911000051.X | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101760355A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 吴爱萍;M·B·劳;E·C·巴里施波莱克 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C11D7/32 | 分类号： | C11D7/32;C11D7/26;C11D7/34;C11D7/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐厚才;韦欣华 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于CoWP和多孔电介质的湿清洁组合物。本发明是一种用于从具有CoWP特征的半导体基片上湿清洁除去蚀刻后和灰残留物的配制剂，包括：去离子水；有机酸；胺和/或氢氧化季铵；其中，所述配制剂与所述CoWP特征相容，并且，或者(a)胺和/或氢氧化季铵与有机酸的摩尔比提供在7-14的范围的pH值；或者(b)所述配制剂包括缓蚀剂。还描述了使用所述配制剂的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cowp 多孔 电介质 清洁 组合 | ||
【主权项】：
用于从具有CoWP特征的半导体基片除去蚀刻后和灰残留物的非氟化物湿清洁配制剂，基本上由以下组成：去离子水；有机酸；胺和/或氢氧化季铵；任选的一种或更多种缓蚀剂；非水有机极性溶剂和氧清除剂；其中所述配制剂与所述CoWP特征相容，并且，(a)胺和/或氢氧化季铵与有机酸的摩尔比提供在7-14的范围的pH值；或者(b)所述配制剂包括缓蚀剂。
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