[实用新型]一种全自动大型平板PECVD氮化硅覆膜制备系统无效
| 申请号： | 200920012728.0 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN201386135Y | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 赵科新;赵崇凌;李士军;洪克超;段鑫阳;张振厚;张冬;张健;徐宝利;钟福强;奚建平;高振国;崔秀伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/44;C23C16/54 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110168辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及光伏电池片薄膜制备装置，具体地说是一种多腔室在真空条件下连续工作的全自动大型平板PECVD氮化硅覆膜制备系统，包括自动传输装载台、预热室、PECVD室、冷却室及自动传输卸载台，其中预热室、PECVD室及冷却室依次安装在台架上，自动传输装载台与预热室相连，自动传输卸载台与冷却室相连；预热室、PECVD室及冷却室分别通过气体管路连接有真空抽气系统。本实用新型采用组合式多腔室在真空条件下工作的全自动大型平板PECVD氮化硅覆膜制备系统，在工作的情况下，同样能够达到管式PECVD和进口平板式PECVD的技术指标。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 全自动 大型 平板 pecvd 氮化 硅覆膜 制备 系统 | ||
【主权项】：
1.一种全自动大型平板PECVD氮化硅覆膜制备系统，其特征在于：包括自动传输装载台(1)、预热室(2)、PECVD室(3)、冷却室(4)及自动传输卸载台(5)，其中预热室(2)、PECVD室(3)及冷却室(4)依次安装在台架上，自动传输装载台(1)与预热室(2)相连，自动传输卸载台(5)与冷却室(4)相连；预热室(2)、PECVD室(3)及冷却室(4)分别通过气体管路(7)连接有真空抽气系统(6)。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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