[实用新型]可修改配置参数的DDR2控制器无效
申请号: | 200920016275.9 | 申请日: | 2009-08-13 |
公开(公告)号: | CN201444394U | 公开(公告)日: | 2010-04-28 |
发明(设计)人: | 牟建华;王丹;唐忠华;周良碧;陈易;王延伟;赵立杰 | 申请(专利权)人: | 中国华录·松下电子信息有限公司 |
主分类号: | G09G5/36 | 分类号: | G09G5/36 |
代理公司: | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人: | 闪红霞 |
地址: | 116023 辽宁省大连市高新技术*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本实用新型公开一种可修改配置参数的DDR2控制器,是与物理层、读数据存储缓冲器还相接有可配置参数控制器,可配置参数控制器设有单片机控制器,单片机控制器与状态寄存器相接并通过地址译码器、数据多路复用电路与频率寄存器、控制寄存器、数据接口寄存器及地址寄存器相接,频率寄存器通过时钟控制器与输入同步电路相接,控制寄存器和状态寄存器与开始、停止和仲裁控制电路相接,数据接口寄存器与输入/输出数据转换寄存器、地址比较器相接,地址寄存器与地址比较器相接;时钟控制器、输入同步电路与开始、停止和仲裁控制电路相接,时钟电路还与输入/输出数据转换寄存器相接;开始、停止和仲裁控制电路与输入/输出数据转换寄存器、地址比较器相接。 | ||
搜索关键词: | 修改 配置 参数 ddr2 控制器 | ||
【主权项】:
一种可修改配置参数的DDR2控制器,有相连接的DDR控制电路及物理层,与DDR控制电路相接有读/写地址存储缓冲器,与物理层相接有写数据存储缓冲器、读数据存储缓冲器,其特征在于:与物理层、读数据存储缓冲器还相接有可配置参数控制器,所述可配置参数控制器设有单片机控制器,单片机控制器与状态寄存器相接并通过地址译码器、数据多路复用电路与频率寄存器、控制寄存器、数据接口寄存器及地址寄存器相接,频率寄存器、控制寄存器、状态寄存器、数据接口寄存器及地址寄存器相互通信连接;频率寄存器通过时钟控制器与输入同步电路相接,控制寄存器和状态寄存器与开始、停止和仲裁控制电路相接,数据接口寄存器与输入/输出数据转换寄存器、地址比较器相接,地址寄存器与地址比较器相接;时钟控制器、输入同步电路与开始、停止和仲裁控制电路相接,时钟电路还与输入/输出数据转换寄存器相接;开始、停止和仲裁控制电路与输入/输出数据转换寄存器、地址比较器相接。
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