[实用新型]蓝宝石衬底的AlGaInP发光二极管无效
| 申请号： | 200920021648.1 | 申请日： | 2009-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN201392845Y | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 李树强;徐现刚;张新;马光宇;任忠祥;夏伟;吴小强;卢振;于军;吴作贵 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种蓝宝石衬底的AlGaInP发光二极管。该发光二极管的外延结构由下至上依次为蓝宝石衬底、低温GaP缓冲层、高温GaP缓冲层、GaP电流扩展及欧姆接触层、AlGaInP过渡层和下限制层、多量子阱AlGaInP有源区、AlGaInP上限制层和GaP电流扩展层。本实用新型使用蓝宝石作为外延生长衬底，并使用磷化镓作为缓冲层，由于蓝宝石和磷化镓材料对黄色至红色波段是透明的，因此不存在衬底光吸收问题，通过磷化镓缓冲层可以抑制蓝宝石衬底和AlGaInP材料之间晶格失配和热膨胀系数失配导致的材料生长缺陷，从而可以大大提高发光二极管的光输出能力。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 衬底 algainp 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种蓝宝石衬底的AlGaInP发光二极管，其特征是：该发光二极管的外延结构由下至上依次为蓝宝石衬底、低温GaP缓冲层、高温GaP缓冲层、GaP电流扩展及欧姆接触层、AlGaInP过渡和下限制层、多量子阱AlGaInP有源区、AlGaInP上限制层和GaP电流扩展层。
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