[实用新型]硅衬底上外延生长的铝镓铟磷发光二极管无效
| 申请号： | 200920021649.6 | 申请日： | 2009-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN201392846Y | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 李树强;徐现刚;张新;马光宇;吴小强;卢振 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅衬底上外延生长的铝镓铟磷发光二极管，该发光二极管的外延结构采用硅衬底，在硅衬底上由下至上依次包括砷化镓低温缓冲层、砷化镓高温缓冲层、DBR反射层、铝镓铟磷下限制层、多量子阱发光区、铝镓铟磷上限制层、电流扩展层。本实用新型解决了硅衬底和铝镓铟磷发光层之间的热膨胀系数失配问题，在硅衬底上直接外延生长外延材料，由于硅的热导率(145.7W/m.K)是砷化镓衬底热导率(44W/m.K)的3.3倍，从而可以提高其大电流工作能力。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 外延 生长 铝镓铟磷 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种硅衬底上外延生长的铝镓铟磷发光二极管，其特征是：该发光二极管的外延结构采用硅衬底，在硅衬底上由下至上依次包括砷化镓低温缓冲层、砷化镓高温缓冲层、DBR反射层、铝镓铟磷下限制层、多量子阱发光区、铝镓铟磷上限制层、电流扩展层。
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