[实用新型]半导体封装工程中的银浆喷射装置无效
| 申请号： | 200920036709.1 | 申请日： | 2009-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN201352551Y | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李慧;卞诚振;邹珉;具珉奎 | 申请（专利权）人： | 凤凰半导体通信(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 215217江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型是关于半导体封装工程中的银浆喷射装置，在装有银浆的银浆管(110)和与银浆管相连结的支架上安装有向下方喷射银浆的银浆喷射器(120)的银浆喷射装置(100)中，银浆喷射器下部至少有一个一体化突出形成的喷嘴(120)，喷嘴由和需要的喷射面积对应的，合适长度和宽度的喷射孔(DH)形成，喷射孔(DH)的端面为三角形、四边形、菱形、椭圆形、圆形、一字型或十字形及放射形中的任一个形态；通过喷射孔一次性把银浆涂布到基板上。在半导体设备上实现简易、高速、稳定地涂布银浆，从而提高半导体设备产能，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 工程 中的 喷射 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装工程中的银浆喷射装置，其特征在于，在装有银浆的银浆管(110)和与银浆管相连结的支架上安装有向下方喷射银浆的银浆喷射器(120)的银浆喷射装置(100)中，银浆喷射器下部至少有一个一体化突出形成的喷嘴(120)，喷嘴由和需要的喷射面积对应的，合适长度和宽度的喷射孔(DH)形成，喷射孔(DH)的端面为三角形、四边形、菱形、椭圆形、圆形、一字型或十字形及放射形中的任一个形态；通过喷射孔一次性把银浆涂布到基板上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凤凰半导体通信(苏州)有限公司，未经凤凰半导体通信(苏州)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200920036709.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
