[实用新型]一种新型的InSb磁敏芯片无效
| 申请号： | 200920038534.8 | 申请日： | 2009-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN201340428Y | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 牛德文 | 申请（专利权）人： | 南京新捷中旭微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01P3/46 | 分类号： | G01P3/46 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 211100江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种新型的InSb磁敏芯片包括InSb磁敏单晶(1)、粘接物质(2)、后置磁铁(4)，其特征在于：还包括超导磁材料(5)；InSb磁敏单晶(1)通过粘接物质(2)反贴在超导磁材料(5)上，后置磁场(4)与超导磁材料(5)合为整体。采用本实用新型的结构可使芯片在使用过程中磁场与InSb感应面的距离过远时，灵敏度依然很高。由于超导磁材料直接和芯片接触，缩小了后置磁场对InSb的感应距离，使得磁敏芯片对外应信号灵敏度增强同时，在使用过程中把感应信号转换成电信号时，所输出的电压就越高，用该芯片生产出的各类传感器给后期的安装调试带来方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 insb 芯片 | ||
【主权项】：
1、一种新型的InSb磁敏芯片，包括InSb磁敏单晶(1)、粘接物质(2)、后置磁铁(4)，其特征在于：还包括超导磁材料(5)；InSb磁敏单晶(1)通过粘接物质(2)反贴在超导磁材料(5)上，后置磁场(4)与超导磁材料(5)合为整体。
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