[实用新型]一种改良的非接触式位移传感器无效
申请号: | 200920041808.9 | 申请日: | 2009-03-24 |
公开(公告)号: | CN201397126Y | 公开(公告)日: | 2010-02-03 |
发明(设计)人: | 王磊 | 申请(专利权)人: | 无锡市纳微电子有限公司 |
主分类号: | G01B11/02 | 分类号: | G01B11/02 |
代理公司: | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 顾吉云 |
地址: | 214028*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种改良的非接触式位移传感器,其在工作过程中抗干扰性强,且其测量精度高。其包括基板、外围电路,其特征在于:所述基板上安装有均匀排布的巨磁电阻元件阵列,所述轨道结阵列上方安装有与巨磁电阻元件阵列平行的轨道,所述轨道上安装有激光光源,所述基板连接外围电路,所述巨磁电阻元件通过基板连接所述外围线路。 | ||
搜索关键词: | 一种 改良 接触 位移 传感器 | ||
【主权项】:
1、一种改良的非接触式位移传感器,其包括基板、外围电路,其特征在于:所述基板上安装有均匀排布的巨磁电阻元件阵列,所述轨道结阵列上方安装有与巨磁电阻元件阵列平行的轨道,所述轨道上安装有激光光源,所述基板连接外围电路,所述巨磁电阻元件通过基板连接所述外围线路。
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