[实用新型]用于纳米光子集成芯片的布喇格光纤-芯片耦合装置有效

专利信息
申请号: 200920044053.8 申请日: 2009-06-10
公开(公告)号: CN201413407Y 公开(公告)日: 2010-02-24
发明(设计)人: 孙小菡;于兵 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G02B6/30 分类号: G02B6/30
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 陆志斌
地址: 21009*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种用于纳米光子集成芯片的布喇格光纤-芯片耦合装置,包括:布喇格光纤及纳米光子集成芯片,在布喇格光纤的与纳米光子集成芯片相对的一端连接有布喇格光纤拉锥结构。本实用新型斜切打磨的方法使布喇格光纤拉锥结构的末端成为扁平形状,融合了光纤拉锥、斜切打磨加工简便、布喇格光纤与纳米光子集成芯片耦合能够消除光纤端面菲涅尔反射的特点,提出了一种基于布喇格光纤的纳米光子集成芯片耦合装置。该结构通过拉锥结构将布喇格光纤出射的模斑尺寸缩小进而减少与纳米光子集成芯片端面的尺寸失配,提高了耦合效率;此外,为进一步提高耦合效率,本实用新型将布喇格光纤拉锥末端的形状限定为扁平形状。
搜索关键词: 用于 纳米 光子 集成 芯片 布喇格 光纤 耦合 装置
【主权项】:
1、一种用于纳米光子集成芯片的布喇格光纤-芯片耦合装置,其特征在于包括:布喇格光纤(1)及纳米光子集成芯片(4),在布喇格光纤(1)的与纳米光子集成芯片(4)相对的一端连接有布喇格光纤拉锥结构(2)。
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