[实用新型]氮化镓基大功率芯片侧面出光结构无效
| 申请号： | 200920060271.0 | 申请日： | 2009-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN201436688U | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张珠文;袁富胜;李宏彦;王维昀 | 申请（专利权）人： | 东莞市福地电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 梁永宏 |
| 地址： | 523082 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化镓基大功率芯片侧面出光结构，涉及大功率芯片技术领域；本实用新型包括三氧化二铝衬底层和氮化镓外延层，氮化镓外延层设置在三氧化二铝衬底层的上面，氮化镓外延层的侧面为斜面，侧面与上表面的夹角为锐角；氮化镓外延层的上表面和侧面均可出光，侧面为斜面，增大出光面积，提高芯片出光率，使更多发光层内部的光线可以透射出来。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 大功率 芯片 侧面 结构 | ||
【主权项】：
氮化镓基大功率芯片侧面出光结构，包括三氧化二铝衬底层和氮化镓外延层，氮化镓外延层设置在三氧化二铝衬底层的上面，其特征在于，氮化镓外延层的侧面为斜面，侧面与上表面的夹角为锐角。
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