[实用新型]双面PN结硅太阳能电池有效
| 申请号： | 200920065320.X | 申请日： | 2009-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN201466040U | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 张恩理;娄志林 | 申请（专利权）人： | 湖南天利恩泽太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05;H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 411102 湖南省湘*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种双面PN结硅太阳能电池，太阳能电池晶体硅片接收光照的正面有PN结。晶体硅片背面有P型和N型电极，形成背面PN结，并与正面的PN结并联或串联，背面PN结可收集部分少数载流子，而形成光电流。这种结构能提高晶体硅太阳能电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 pn 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种双面PN结硅太阳能电池，其特征是：接收光照的晶体硅片正面有PN结，即称正面PN结；晶体硅片背面也有PN结，称背面PN结，所述正面PN结与背面PN结并联或串联，构成双面PN结太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
