[实用新型]一种用于硅薄膜均匀沉积的布气盒无效
申请号: | 200920069120.1 | 申请日: | 2009-03-20 |
公开(公告)号: | CN201416032Y | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 刘古岩;郑飞璠;夏芃;范继良;范振华 | 申请(专利权)人: | 上海拓引数码技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;C23C16/455 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 邓 琪 |
地址: | 200234上海市徐汇区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于硅薄膜均匀沉积的布气盒,包括:布气板(1),位于射频电极的下侧;位于所述布气板(1)下端的多个腔体(6),所述腔体和腔体之间具有多个进气孔(3),所述腔体(6)的底面上具有多个排气元件;以及位于所述腔体(6)下端的用于沉积硅薄膜的基板(5)。通过上述结构,本实用新型的用于硅薄膜均匀沉积的布气盒可以达到如下目的:通过使排气孔均匀分布于进气孔周围,以使通过进气孔的气体和部分气体离解产生的有害SiH2基团及时的由设置于布气板底端的排气孔排出,保证在整个基片区域里等离子体成分的均一性,从而实现大面积硅薄膜的均匀沉积。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 薄膜 均匀 沉积 布气盒 | ||
【主权项】:
1、一种用于硅薄膜均匀沉积的布气盒,其特征在于,包括:布气板(1),位于射频电极的下侧;位于所述布气板(1)下端的多个腔体(6),所述腔体和腔体之间具有多个进气孔(3),所述腔体(6)的底面上具有多个排气元件;以及位于所述腔体(6)下端的用于沉积硅薄膜的基板(5)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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